今日，博主@定焦数码爆料称，网上流传的国产N+3工艺具备一定的真实性，因为专利显示的H210G56指标，计算下来是125mtr的布线密度，等效5nm。
也就是说，如果消息属实，意味着国产5nm工艺就要来了。
据了解，中芯国际自主研发的N+3工艺取得关键性突破，其晶体管密度达到125MTr/mm²（每平方毫米125亿个晶体管），这一指标已接近台积电5nm与三星早期5nm工艺水平，标志着国产先进制程工艺迈入全新阶段。
据专利文件披露的H210G56指标测算，N+3工艺的布线密度达到125MTr/mm²，介于台积电6nm（113MTr/mm²）与三星初代5nm（127MTr/mm²）之间，实际性能等效于台积电5.5nm节点。相较于14nm工艺（约35MTr/mm²），N+3的密度提升幅度超过250%，彰显中芯国际在FinFET架构优化上的深厚积累。
尽管密度指标亮眼，但受限于EUV光刻机短缺，N+3工艺在复杂度与能效上仍存差距。业内分析指出，其实际性能与功耗表现更接近台积电7nm增强版（N7P）及6nm工艺，同等晶体管规模下能效落后台积电5nm/4nm约15%-20%。这一短板源于传统DUV光刻技术对多层布线的限制，但已足以满足多数中高端芯片需求。
此前，行业人士透露，若华为海思采用N+3工艺复产麒麟芯片，其性能有望接近高通骁龙888水平，填补国产高端手机SoC的空白。
有传闻称麒麟9300芯片或将成为首款搭载该工艺的产品，助力华为重新角逐中高端市场。
对于长期依赖28nm及以上成熟制程的国产半导体而言，N+3的突破将有效缓解芯片「卡脖子」困境，推动5G通信、AIoT等领域的技术升级。
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